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目前几家芯片厂目前在5G的准备如何

半导体动态 2019-01-10 16:41 次阅读
2019年的美国消费性电子展(CES)几乎是5G应用的天下,除了各家芯片厂陆续推出的5G芯片之外,各项应用包括务联网、车联网,智慧家庭等也都跟5G连上关系,俨然成为5G的秀场。 的确,因为5G即将在2019年陆续商转,其所带动的商机高达数千亿美元,因此各类型各领域的厂商莫不抢攻这块大饼。只是,回归到最基础的5G网络域终端产品上,5G芯片还是扮演最重要的关键。而目前几家芯片厂目前在5G的准备如何,从这次在CES上的观察,让我们来告诉你。 目前几家芯片厂目前在5G的准备如何 高通囊括2019年大多数订单 几乎已经拿下2019年30几款5G手机处理器订单的行动处理器大厂高通(Qualcomm),自从在2017年2月份推出首款骁龙(Snapdragon)X50 5G基带芯片之后,在相关的5G市场可说是领先群雄。高通表示,这款芯片号称可以实现每秒千兆(Gigabit)的下载速度,并且能够完美支援Sub-6GHz与mmWave毫米波频段的基带芯片,在推出之后全球也已经有超过19个手机厂商与高通签订了合作意向。 另外,2018年底,高通更进一步推出新的骁龙855手机运算平台,虽然本身没有搭载能支援5G网络的基带芯片。但是藉由搭载之前的X50的基带芯片,还是能够连结上5G的网络,这使得2019年目前几乎所有的5G终端设备都选择该项解决方案。 另外,根据相关讯息指出,下一代骁龙的新处理器即将内建X50基带芯片,使得未来的5G手机功能更加集中而完整。所以,在高通相关5G解决方案大军压境下,其他芯片厂的压力也就显得庞大。 三星差异化目标市场 在目前韩国成为全球首个5G网络商转的国家,而且三星也将在不久之后所发表的年度旗舰智能型手机Galaxy S10上搭载5G模块之际,三星也积极在5G基带芯片的研发上急起直追。 2018年8月15日,三星宣布推出了首款5G基带芯片Modem 5100。三星表示,除了可以支援6GHz及毫米波频段之外,还以三星本身的10纳米制程所打造,下载速率可达6Gbps,而且支援2/3/4G全网通网络。 根据三星的规划,Exynos Modem 5100基带芯片不仅可以用于行动装置上,还可以用于IoT物联网、超高分辨率显示、全息影像、AI人工智能及自动驾驶等领域中。而除了提供Exynos Modem 5100 5G基带芯片之外,三星还会提供射频IC、ET网络追踪以及电源管理IC芯片等整套方案,并且2018年底开始向客户出样。 三星向来的行动处理器仅在供应本国或特定地区的手机上搭载,未来Exynos Modem 5100基带芯片恐大也是相同的情况。因此,在专注其他领域上的商机,预计会比智能型手机领域来的大之际,在市场的影响力上就会不如其他竞争对手。 英特尔2020 5G商用到位 目前在4G LTE芯片已经获得苹果采用、使得现阶段也在加紧布局5G领域的计算机处理器大厂英特尔(intel),在5G基带芯片的发展上,还是没有一举到位。 也就是此次5G芯片,英特尔并没有快人一步抢先发表自己的5G基带芯片,虽然2017年11月发表的XMM8160已经比计划提前了半年发表,但是英特尔在2019 CES还是确认了,预计该芯片全面商用仍要等到2020年。 而这样的状况下,包括苹果在内的手机品牌厂商要用上英特尔的5G基带芯片,最快也要到2020年之后。 虽然,英特尔过去不乏有比预计时间提早进入市场的历史。不过,现阶段英特要极力解决的除了是14纳米产能的问题,以及10纳米新制程产品准时推出的问题,目前恐怕暂时没有余力专注于让XMM8160基带芯片的提前问世。 联发科多样化标准支援 在2018年6月正式公布了M70的5G基带芯片之后,目前联发科在5G市场上也是动作频频。因为,藉由这颗号称能支援5GNR,符合3GPPRelease15独立组网规范,下载速率可到5Gbps的基带芯片,并且是目前市场上唯一的支援4GLTE、5G双连接(EN─DC)long88.vip龙8国际的5G基带芯片,可以使得当前的许多应用无缝接轨下,不仅是在手机的使用,还可以使用在多方面的终端应用上,让联发科有着一搏5G市场的实力。 另外,近期联发科推出的P系列处理器,凭借其优异的人工智能(AI)运算性能,不但引起市场的关注,还有机会在搭配上未来的5G基带芯片后,让智能型手机有更大的灵活使用空间。 而且,有消息指出,2019年联发科还将发表搭载5G基带的行动处理器,届时有机会在目前市场上数量最庞大的中阶智能型手机市场中,获得一定的商机,因此联发科的未来发展颇令人关注。
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和特点 驱动器欲了解更多信息,请参考数据手册比较器窗口和差分比较器输入等效带宽:500 MHz负载最大±12 mA电流能力单引脚PMU欲了解更多信息,请参考数据手册电平欲了解更多信息,请参考数据手册HVOUT输出缓冲器输出范围:0 V至13.5 V100引脚14 mm × 14 mm TQFP_EP封装功耗:每通道900 mW(空载) 产品详情 ADATE305是一款完整的单芯片解决方案,用于在ATE应用中执行驱动器、比较器和有源负载(DCL)、单引脚(Per Pin) PMU、直流电平的引脚电子功能。它还内置一个HVOUT驱动器和VHH缓冲器,能够产生最高13.5 V的电压。驱动器提供三种有源状态:数据高电平状态、数据低电平状态和期限状态,以及一种抑制状态。抑制状态与集成动态箝位一起使用时,有利于实现高速有源端接。通过调整正负电源电压,ADATE305支持两种输出电压范围:−2.0 V至+6.0 V和−1.5 V至+6.0 V。ADATE305既可以用作双单端驱动/接收通道,也可以用作单差分驱动/接收通道。每个通道都提供用于功能测试的高速窗口比较器,以及带FV/FI和MV/MI功能的单引脚PMU。DCL功能所需的全部直流电平都由片内14位DAC产生。单引脚PMU具有一...
发表于 02-22 12:31 16次 阅读
ADATE305 250 MHz双通道集成DCL,提供电平设置DAC、单引脚PMU和单芯片(Per Chip) VHH功能

ADATE304 200 MHz双通道集成DCL,提供电平设置DAC、单引脚PMU和单芯片(Per Chip) VHH功能

和特点 驱动器3电平驱动器,提供高阻态模式和内置箝位电路精密调整的输出电阻低泄漏模式:<10 nA(典型值)电压范围:−2.0 V至+6.0 V脉冲宽带:2.4 ns(最小值),2 V端接比较器窗口和差分比较器输入等效带宽:500 MHz负载最大±12 mA电流能力单引脚PMU驱动电压范围:−2.0 V至+6.0 V5种电流范围:32 mA、2 mA、200 µA、20 µA、2 µA电平14位DAC提供DCL电平校准的INL典型值小于±5 mV16位DAC提供PMU电平FV模式下校准的INL线性度典型值小于±1.5 mVHVOUT输出缓冲器输出范围:0 V至13.5 V84引脚、9 mm × 9 mm倒装芯片BGA封装 功耗:每通道900 mW(空载) 产品详情 ADATE304是一款完整的单芯片解决方案,用于在ATE应用中执行驱动器、比较器和有源负载(DCL)、单引脚(Per Pin) PMU、直流电平的引脚电子功能。它还内置一个HVOUT驱动器和VHH缓冲器,能够产生最高13.5 V的电压。驱动器提供三种有源状态:数据高电平状态、数据低电平状态和期限状态,以及一种抑制状态。抑制状态与集成动态箝位一起使用时,有利于实现高速有源端接。通过调整正负电源电压,ADATE304支持两种输出电压范围:...
发表于 02-22 12:31 31次 阅读
ADATE304 200 MHz双通道集成DCL,提供电平设置DAC、单引脚PMU和单芯片(Per Chip) VHH功能

LTC2942-1 具内部检测电阻器和温度/电压测量功能的 1A 电池电量测量芯片

和特点 可指示累积的电池充电和放电电量 SMBus/I2C 接口 集成 50mΩ 高端检测电阻器 ±1A 检测电流范围 高准确度模拟积分 ADC 负责测量电池电压和温度 集成化温度传感器 1% 电压和充电准确度 可配置报警输出/充电完成输入 2.7V 至 5.5V 工作范围 静态电流小于 100μA 小外形 6 引脚 2mm x 3mm DFN 封装 产品详情 LTC®2942-1 可测量手持式 PC 和便携式产品应用中的电池充电状态、电池电压和芯片温度。其工作范围非常适合于单节锂离子电池。一个精准的库仑计量器负责对流经位于电池正端子和负载或充电器之间的一个检测电阻器的电流进行积分运算。电池电压和片内温度利用一个内部 14 位无延迟增量累加 (No Latency ΔΣ™) ADC 来测量。所测量的三种物理参数值 (电荷、电压和温度) 被存储于可通过板上 SMBus/I2C 接口进行存取的内部寄存器中。 LTC2942-1 具有针对所有三种测量物理量的可编程高门限和低门限。如果超过了某个编程门限,则该器件将采用 SMBus 报警协议或通过在内部状态寄存器中设定一个标记来传送一个报警信号。 集成检测电阻 LTC2942 否 LTC2942-1 是 应用 低功率手持式产品 蜂窝电话 M...
发表于 02-22 12:23 0次 阅读
LTC2942-1 具内部检测电阻器和温度/电压测量功能的 1A 电池电量测量芯片

HMC655-DIE 固定、6 dB无源衰减器芯片,DC - 50 GHz

和特点 宽带宽: DC - 50 GHz 9款衰减器产品:固定电平:0、2、3、4、6、10、15和20 dB 功率处理: +25 dBm HMC651和HMC658裸片尺寸: 0.57 x 0.45 x 0.1 mm HMC650, HMC652, HMC653, HMC654, HMC655, HMC656 和HMC657裸片尺寸: 0.42 x 0.45 x 0.1 mm产品详情 HMC650/651/652/653/654/655/656/657/658是一系列宽带固定值50 Ω匹配衰减器芯片,提供0、2、3、4、6、10、15和20 dB相对衰减电平。 这些无源旋转器和衰减器非常适合需要极端平坦衰减和出色的VSWR与频率关系的微带、混合及多芯片模块应用。 宽带衰减器采用低电感片内过孔,无需额外的接地连接。 HMC650至HMC658背面镀金,适合共晶或环氧树脂芯片贴装。 所有9款产品均可通过相应的产品型号单独购买,或购买HMC-DK006固定衰减器芯片龙8国际娱乐网站套件(含10件)。应用 光纤产品 微波无线电 军事和太空混合器件 测试与测量 科研仪器 RF/微波电路原型制作 方框图...
发表于 02-22 12:18 16次 阅读
HMC655-DIE 固定、6 dB无源衰减器芯片,DC - 50 GHz

HMC365-DIE InGaP HBT 4分频芯片,DC - 13 GHz

和特点 超低SSB相位噪声: -151 dBc/Hz 宽带宽 输出功率: 5 dBm 单直流电源: +5V 小尺寸: 1.30 x 0.69 x 0.1 mm 产品详情 HMC365是低噪声的4分频静态分频器,使用InGaP GaAs HBTlong88.vip龙8国际,拥有1.30 x 0.69 mm的小巧尺寸。此器件在DC(使用方波输入)至13 GHz的输入频率下工作,使用+5V DC单电源。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-151 dBc/Hz,有助于用户保持良好的系统噪声性能。 应用 卫星通信系统 光纤产品 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT方框图...
发表于 02-22 12:17 5次 阅读
HMC365-DIE InGaP HBT 4分频芯片,DC - 13 GHz

HMC-ABH209 中等功率放大器芯片,55 - 65 GHz

和特点 输出IP3: +25 dBm P1dB: +16 dBm 增益: 13 dB 电源电压: +5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 2.2 x 1.22 x 0.1 mm 产品详情 THMC-ABH209是一款高动态范围、两级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为55至65 GHz。 HMCABH209提供13 dB增益,采用+5V电源电压时具有+16 dBm输出功率(1dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 /p>HMC-ABH209 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线LAN网桥 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:15 0次 阅读
HMC-ABH209 中等功率放大器芯片,55 - 65 GHz

HMC-AUH320 中等功率放大器芯片,71 - 86 GHz

和特点 增益: 16 dB (76 GHz) P1dB: +15 dBm 电源电压: +4V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 2.20 x 0.87 x 0.1 mm 产品详情 HMC-AUH320是一款高动态范围的四级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,在71至86 GHz的频率下工作。 HMC-AUH320在74 GHz频率下提供16 dB的增益,在1 dB压缩点提供+15 dBm的输出功率,采用+4V电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-AUH320 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线LAN网桥 汽车雷达 军事和太空 E波段通信系统 方框图...
发表于 02-22 12:15 0次 阅读
HMC-AUH320 中等功率放大器芯片,71 - 86 GHz

HMC562 宽带驱动放大器芯片,2 - 35 GHz

和特点 P1dB输出功率: +12 dBm 增益: 12.5 dB 输出IP3: +19 dBm 电源电压: +8V (80 mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸:3.12 x 1.42 x 0.1 mm 产品详情 HMC562是一款GaAs MMIC PHEMT分布式驱动放大器裸片,在2至35 GHz的频率下工作。 该放大器提供12.5 dB增益,+27 dBm输出IP3和12 dBm输出功率(1 dB增益压缩),功耗为80 mA(采用+8V电源)。 HMC562非常适合EW、ECM和雷达驱动放大器应用。 HMC562放大器I/O是隔直的,内部匹配50 Ω阻抗,方便集成到多芯片模块(MCM)。 所有数据均由通过最短0.31mm (12 mil)的两条0.075mm (3 mil)线焊带连接的芯片获取。应用 军事和太空 测试仪器仪表 光纤产品 方框图...
发表于 02-22 12:15 0次 阅读
HMC562 宽带驱动放大器芯片,2 - 35 GHz

HMC-ALH376 低噪声放大器芯片,35 - 45 GHz

和特点 噪声系数: 2 dB 增益: 16 dB (40 GHz) P1dB输出功率: +6 dBm 电源电压: +4V (87 mA) 裸片尺寸: 2.7 x 1.44 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH376是一款GaAs MMIC HEMT三级、自偏置、低噪声放大器芯片,工作频率范围为35至45 GHz。该放大器提供16 dB增益、2 dB噪声系数和+6 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+4V单电源时功耗仅为87 mA。由于尺寸较小(3.9 mm²),这款自偏置LNA适合集成到混合组件或多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 测试设备和传感器 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:14 0次 阅读
HMC-ALH376 低噪声放大器芯片,35 - 45 GHz

HMC519-DIE GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器芯片,18 - 32 GHz

和特点 噪声系数: 2.8 dB 增益: 15 dB OIP3: 23 dBm 单电源: +3V (65 mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 2.27 x 1.32 x 0.1 mm 产品详情 HMC519是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器芯片,工作频率范围为18至32 GHz。 HMC519提供15 dB小信号增益、2.8 dB噪声系数及高于23 dBm的输出IP3。 由于尺寸较小,该芯片可轻松集成到混合组件或多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.075 mm (3 mil)、最小长度0.31 mm (12 mil)的焊线连接。 也可用两根直径为0.025mm (1 mil)的焊线进行RFIN和RFOUT连接。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 测试设备和传感器 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:14 19次 阅读
HMC519-DIE GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器芯片,18 - 32 GHz

HMC-ALH508 低噪声放大器芯片,71 - 86 GHz

和特点 噪声系数: <5 dB P1dB: +7 dBm 增益: 13 dB 电源电压: +2.4V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.2 x 1.6 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH508是一款三级GaAs HEMT MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为71至86 GHz。 HMC-ALH508具有13 dB小信号增益、4.5 dB噪声系数和+7 dBm输出功率(1 dB压缩),分别采用2.1V和2.4V两个电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 这款多功能LNA兼容传统的芯片贴装方式以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线局域网(LAN) 汽车雷达 军事和太空 E波段通信系统 方框图...
发表于 02-22 12:13 0次 阅读
HMC-ALH508 低噪声放大器芯片,71 - 86 GHz

AD847 高速、低功耗、单芯片运算放大器

和特点 出众的性能高单位增益带宽:50 MHz低电源电流:5.3 mA高压摆率:300 V/µs出色的视频特性驱动任何容性负载快速的0.1%建立时间(10 V步进):65 ns出色的直流性能5.5 V/mV高开环增益(PLOAD = 1 kΩ)低输入失调电压:0.5 mV额定工作电压:±5 V和±15 V提供多种选择塑料DIP和SOIC封装Cerdip封装裸片形式MIL-STD-883B工艺卷带和卷盘(EIA-481A标准)提供双通道版本:AD827(8引脚)LM6361的增强替代产品 产品详情 AD847代表高速放大器的一个突破,实现了低成本、低功耗的出众交流和直流性能。出色的直流性能表现在它±5 V的规格值,包括3500 V/V的开环增益(500Ω负载)和0.5 mV的低输入失调电压。共模抑制最低为78 dB。输出电压摆幅为±3 V(负载低至150Ω)。ADI公司还提供其他超过30种高速放大器,从低噪声AD829(1.7nV/√Hz)到终极的视频放大器AD811(差分增益0.01%,差分相位0.01°)。 方框图...
发表于 02-22 12:12 0次 阅读
AD847 高速、低功耗、单芯片运算放大器

HMC-ALH216 低噪声放大器芯片,14 - 27 GHz

和特点 噪声系数: 2.5 dB (20 GHz) 增益: 18 dB P1dB输出功率: +14 dBm 电源电压: +4V (90 mA) 裸片尺寸: 2.25 x 1.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH216是一款GaAs MMIC HEMT宽带低噪声放大器芯片,工作频率范围为14至27 GHz。该放大器提供18 dB增益、2.5 dB噪声系数和+14 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+4V电源电压时功耗仅为90 mA。由于尺寸较小,HMC-ALH216放大器适合集成到多芯片模块(MCM)中。应用 点对点无线电 点对多点无线电 军事和太空 测试仪器仪表 方框图...
发表于 02-22 12:08 0次 阅读
HMC-ALH216 低噪声放大器芯片,14 - 27 GHz

HMC396 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 8 GHz

和特点 增益: 12 dB P1dB输出功率: +14 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC396芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至8 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+16 dBm的HMC混频器LO。 HMC396提供12 dB的增益,+30 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供56 mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC396可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...
发表于 02-22 12:07 20次 阅读
HMC396 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 8 GHz

HMC-APH196 中等功率放大器芯片,17 - 30 GHz

和特点 输出IP3: +31 dBm P1dB: +22 dBm 增益: 20 dB (20 GHz) 电源电压: +4.5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.3 x 1.95 x 0.1 mm 产品详情 HMC-APH196是一款两级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为17至30 GHz。 HMC-APH196在20 GHz下提供20 dB增益,采用+4.5V电源电压时具有+22 dBm输出功率(1 dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-APH196 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:07 0次 阅读
HMC-APH196 中等功率放大器芯片,17 - 30 GHz

HMC-ABH241 中等功率放大器芯片,50 - 66 GHz

和特点 输出IP3: +25 dBm P1dB: +17 dBm 增益: 24 dB 电源电压: +5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.2 x 1.42 x 0.1 mm 产品详情 THMC-ABH241是一款四级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为50至66 GHz。 HMC-ABH241提供24 dB增益,采用+5V电源电压时具有+17 dBm输出功率(1dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-ABH241 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线LAN网桥 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:07 0次 阅读
HMC-ABH241 中等功率放大器芯片,50 - 66 GHz

HMC-MDB277 DBL-BAL混频器芯片,70 - 90 GHz

和特点 宽IF带宽: DC - 18 GHz 无源双平衡拓扑结构 LO输入功率: +14 dBm 裸片尺寸: 1.55 x 1.4 x 0.1 mm 产品详情 HMC-MDB277是一款无源双平衡MMIC混频器,采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管long88.vip龙8国际,可用作上变频器或下变频器。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB277双平衡混频器可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混合微电路应用。 这款紧凑型MMIC可以取代混合型双平衡式混频器,而且体积要小得多,性能更加稳定。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量无线电 FCC E波段通信系统 汽车雷达 传感器 测试和测量设备 方框图...
发表于 02-22 12:07 17次 阅读
HMC-MDB277 DBL-BAL混频器芯片,70 - 90 GHz

ADM691A 微处理器电源监控器,内置备用电池切换、可调复位周期与可调看门狗周期、芯片使能信号、看门狗、备用电池功能和4.65V阈值电压、低VCC状态输出、250MA输出电流特性

和特点 低功耗 精密电压监控器 ADM800L/M容差:±2% 复位时间延迟:200 ms或可调 待机电流:1 µA 备用电池电源自动切换 芯片使能信号快速片内选通 同时提供TSSOP封装(ADM691A)产品详情 ADM691A/ADM693A/ADM800L/ADM800M系列监控电路均为完整的单芯片解决方案,可实现微处理器系统中的电源监控和电池控制功能。这些功能包括微处理器复位、备用电池切换、看门狗定时器、CMOS RAM写保护和电源故障警告。该系列产品是MAX691A/93A/800M系列的升级产品。所有器件均提供16引脚DIP和SO封装。ADM691A同时提供节省空间的TSSOP封装。主要提供下列功能:启动、关断和掉电情况下的上电复位输出。即使VCC低至1 V,电路仍然可以工作。CMOS RAM、CMOS微处理器或其它低功耗逻辑的备用电池切换。如果可选的看门狗定时器在指定时间内未切换,则提供复位脉冲。1.25 V阈值检波器,用于电源故障警告、低电池电量检测或+5 V以外电源的监控。 方框图...
发表于 02-22 12:06 0次 阅读
ADM691A 微处理器电源监控器,内置备用电池切换、可调复位周期与可调看门狗周期、芯片使能信号、看门狗、备用电池功能和4.65V阈值电压、低VCC状态输出、250MA输出电流特性

MAT14 匹配单芯片四通道晶体管

和特点 低失调电压:400 μV(最大值) 高电流增益:300(最小值) 出色的电流增益匹配度:4%(最大值) 低电压噪声密度(100 Hz、1 mA):3 nV/√Hz(最大值) 出色的对数一致性:体电阻 rBE = 0.6 Ω (最大值) 所有晶体管保证匹配产品详情 MAT14是一款四通道单芯片NPN型晶体管,具有出色的参数匹配性能,适合精密放大器和非线性电路应用。MAT14的性能特征包括:在很宽的集电极电流范围内提供高增益(最小300)、低噪声(在100 Hz、IC = 1 mA条件下最大值为3 nV/√Hz)以及出色的对数一致性。失调电压典型值低至100 μV,精密电流增益匹配度可达4%以内。MAT14的每个晶体管均经过独立测试,符合数据手册性能规格。为使参数匹配(失调电压、输入失调电流和增益匹配),双晶体管组合中的每个晶体管均经过验证,达到了规定的限制要求。在25°C的环境温度和工业温度范围内保证器件性能。匹配参数的长度稳定性由各晶体管基极-发射极结上的保护二极管保证。这些二极管能够防止反向偏置基极-发射极电流导致β和匹配特性下降。MAT14的出色对数一致性和精确匹配特性使它非常适合用于对数和反对数电路。MAT14是需要低噪声和高增益的应用的理想选...
发表于 02-22 12:01 26次 阅读
MAT14 匹配单芯片四通道晶体管